著录信息
- 专利名称：半导体结构的形成方法
- 专利类型：发明
- 申请号：CN201310365611.1
- 公开(公告)号：CN104425263B
- 申请日：20130820
- 公开(公告)日：20170613
- 申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
- 发明人：张翼英,何其暘
- 申请人地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
- 申请人区域代码：CN310115
- 专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
- 洛迦诺分类：无
- IPC：H01L21/336,H01L21/28
- 优先权：无
- 专利代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司 11227
- 代理人：骆苏华
- 审查员：孙鹏
- 国际申请：无
- 国际公开(公告)：无
- 进入国家日期：无
- 分案申请：无
关键词
掩膜层,鳍部,衬底,半导体结构,衬底表面,衬底表面方向,刻蚀,掩膜,平行,开口,顶部表面,刻蚀工艺,性能改善,效应管,鳍式场,暴露,侧壁
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