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著录信息

  • 专利名称：高电压瞬态电压抑制器芯片
  • 专利类型：实用新型
  • 申请号：CN201120551293.4
  • 公开(公告)号：CN202423293U
  • 申请日：20111226
  • 公开(公告)日：20120905
  • 申请人：天津中环半导体股份有限公司
  • 发明人：薄勇,刘亚东,安毅力,张超,王睿,艾传令,郝会振,孔祥和
  • 申请人地址：300385 天津市滨海新区华苑产业区(环外)海泰东路12号
  • 申请人区域代码：CN120116
  • 专利权人：天津中环半导体股份有限公司
  • 洛迦诺分类：无
  • IPC：H01L29/06,H01L29/861
  • 优先权：无
  • 专利代理机构：天津中环专利商标代理有限公司 12105
  • 代理人：莫琪
  • 审查员：无
  • 国际申请：无
  • 国际公开(公告)：无
  • 进入国家日期：无
  • 分案申请：无

关键词

电压抑制器,电压瞬态,芯片,击穿电压,主体结,台面沟槽,玻璃,辅助,金属,电压芯片,区域设计,瞬态电压,芯片结构,芯片台面,芯片主体,漏电,扩散结,漏电流,浪涌,损坏
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