答复函中提及，为推动中国工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业发展，工信部、发展改革委及相关部门，积极研究出台政策扶持产业发展。

一是2014年国务院发布的《推进纲要》中，已经将工业半导体芯片相关产品作为发展重点，通过资金、应用、人才等方面政策推动产业进步。

二是发展改革委、我部研究制定了集成电路相关布局规划，推动包括工业半导体材料、芯片等产业形成区域集聚、主体集中的良性发展局面。

三是按照国发〔2011〕4号文件的有关要求，对符合条件的工业半导体芯片设计、制造等企业的企业所得税、进口关税等方面出台了多项税收优惠政策，对相关领域给予重点扶持。

四是围绕能源、交通等国家重点工业领域，充分发挥相关行业组织作用，通过举办产用交流对接会、新产品推介会、发布典型应用示范案例等方式，为我国工业半导体芯片企业和整机企业搭建交流合作平台。

下一步，工信部及相关部门将持续推进工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业发展，根据产业发展形势，调整完善政策实施细则，更好的支持产业发展。通过行业协会等加大产业链合作力度，深入推进产学研用协同，促进我国工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业的技术迭代和应用推广。

答复函中还提及，工信部与相关部门积极支持国内企业、高校、研究院所与先进发达国家加强交流合作。引进国外先进技术和研发团队，推动包括工业半导体芯片、器件等领域国际专家来华交流，支持海外高层次产业人才来华发展，提升中国在工业半导体芯片相关领域的研发能力和技术实力。

下一步，工信部和相关部门将继续加快推进开放发展。引导国内企业、研究机构等加强与先进发达国家产学研机构的战略合作，进一步鼓励中国企业引进国外专家团队，促进中国工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业研发能力和产业能力的提升。

工信部回复称，为解决工业半导体材料、芯片、器件、IGBT模块等核心部件的关键性技术问题，工信部等相关部门积极支持工业半导体材料、芯片、器件、IGBT模块领域关键技术攻关。

一是2017年工信部推出“工业强基IGBT器件一条龙应用计划”，针对新能源汽车、智能电网、轨道交通三大领域，重点支持IGBT设计、芯片制造、模块生产及IDM、上游材料、生产设备制造等环节，促进IGBT及相关产业的发展。

二是指导湖南省建立功率半导体制造业创新中心建设，整合产业链上下游资源，协同攻关工业半导体材料、芯片、器件、IGBT模块领域关键共性技术。

三是指导中国宽禁带半导体及应用产业联盟发布《中国IGBT技术与产业发展路线图(2018-2030)》，引导我国IGBT行业技术升级，推动相关产业发展。

下一步，工信部将继续支持我国工业半导体领域成熟技术发展，推动中国芯片制造领域良率、产量的提升。积极部署新材料及新一代产品技术的研发，推动我国工业半导体材料、芯片、器件、IGBT模块产业的发展。

工信部表示，当前，人才问题特别是高端人才团队短缺成为制约中国工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业可持续发展的关键因素，为此工信部及相关部门积极推动中国相关产业人才的培养。

一是工信部、教育部共同推动筹建集成电路产教融合发展联盟，促进产业界和学术界的资源整合，推动培养拥有工程化能力的产业人才。

二是同时以集成电路为试点实施关键领域核心技术紧缺博士人才自主培养专项，根据行业企业需要，依托高水平大学和国内骨干企业，针对性地培养一批高端博士人才。

三是教育部、工信部等相关部门印发了《关于支持有关高校建设示范性微电子学院的通知》，支持26所高校建设或筹建示范性微电子学院，推动高校与区域内集成电路领域骨干企业、国家公共服务平台、科技创新平台、产业化基地和地方政府等加强合作。

工信部表示，下一步，与教育部等部门将进一步加强人才队伍建设。推进设立集成电路一级学科，进一步做实做强示范性微电子学院，加快建设集成电路产教融合协同育人平台，保障我国在工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业的可持续发展。